MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 72 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
165-5802
Nº ref. fabric.:
IRFI4110GPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

72A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

190nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

61W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.83 mm

Altura

16.13mm

Longitud

10.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 72 A, disipación de potencia máxima de 61 W - IRFI4110GPBF


Este MOSFET de canal n está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, proporcionando un manejo eficiente de la corriente y una alta tolerancia a la tensión. Es esencial en diversos dispositivos electrónicos y garantiza un funcionamiento robusto en entornos difíciles. Su rendimiento en la conmutación de potencia y la gestión térmica lo convierten en un componente preferido en los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica.

Características y ventajas


• Capacidad de corriente de drenaje continua de 72 A

• Baja resistencia Rds(on) para mejorar la eficiencia operativa

• Modo de mejora para un rendimiento eficaz

• Tensión nominal máxima de drenaje-fuente de 100 V

• Excelente gestión térmica hasta +175°C

• Mayor resistencia a las avalanchas para una mayor fiabilidad

Aplicaciones


• Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia

• Ideal para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Compatible con la conmutación de potencia de alta velocidad

• Utilizado en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima para su aplicación?


La corriente de drenaje continua es de 72 A en condiciones óptimas, lo que la hace adecuada para aplicaciones exigentes.

¿Qué importancia tiene la tensión umbral de puerta?


La tensión umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V, lo que permite un control preciso de las características de conmutación.

¿Cómo gestiona el MOSFET el rendimiento térmico?


Tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que favorece su durabilidad en entornos de altas temperaturas.

¿Qué ventajas ofrece una Rds(on) baja en el rendimiento del dispositivo?


La baja Rds(on) reduce las pérdidas de potencia durante la conmutación, lo que mejora la eficiencia global.

¿Puede este producto manejar circuitos de alta frecuencia?


Sí, está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación dura y alta frecuencia, lo que garantiza un rendimiento constante.

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