MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 165-5979
- Nº ref. fabric.:
- BSZ060NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5979
- Nº ref. fabric.:
- BSZ060NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Tensión directa Vf | 0.87V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 26W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Tensión directa Vf 0.87V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 26W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 25 V, corriente de drenaje continua máxima de 40 A - BSZ060NE2LSATMA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de alta corriente en las que se requieren bajas pérdidas por conducción y una conmutación eficiente. El dispositivo se suministra en un encapsulado TSDSON de 8 contactos adecuado para montajes densos y enrutamiento térmico en diseños de PCB.
Características y ventajas:
• La resistencia de conexión muy baja de 8,1 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La corriente de drenaje nominal continua de 40 A admite cargas de alta corriente
• La disipación de potencia máxima de 26 W permite un manejo de calor considerable
• La carga de puerta típica de 9,1 nC permite un rendimiento de conmutación eficiente
• La tensión directa de 0,87 V minimiza la caída de tensión bajo carga
• La tolerancia de tensión de fuente de puerta de hasta 20 V ofrece márgenes de accionamiento flexibles
• La corriente de drenaje nominal continua de 40 A admite cargas de alta corriente
• La disipación de potencia máxima de 26 W permite un manejo de calor considerable
• La carga de puerta típica de 9,1 nC permite un rendimiento de conmutación eficiente
• La tensión directa de 0,87 V minimiza la caída de tensión bajo carga
• La tolerancia de tensión de fuente de puerta de hasta 20 V ofrece márgenes de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de convertidor reductor síncrono
• Ideal para módulos reguladores dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con servidores y sistemas de distribución de energía de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de carga
• Adecuado para etapas de preaccionamiento de accionamiento de motor
• Ideal para módulos reguladores dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con servidores y sistemas de distribución de energía de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de carga
• Adecuado para etapas de preaccionamiento de accionamiento de motor
¿Qué rango térmico puedo esperar para el despliegue?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplia variación de temperatura.
¿Cómo ayuda el encapsulado a la integración de PCB?
El factor de forma TSDSON proporciona un tamaño de montaje en superficie de perfil bajo que facilita la colocación cercana de componentes y la conducción térmica directa al cobre de PCB.
¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta se requieren?
El transistor admite tensiones de fuente de puerta de hasta 20 V
utilizar controladores de puerta que permanezcan dentro de este límite al tiempo que proporcionan una carga suficiente para una conmutación rápida.
¿Cuántos contactos están disponibles para el diseño?
Hay ocho contactos, lo que permite varias conexiones para el drenaje, la fuente y el enrutamiento de puertas para optimizar las rutas de corriente y el rendimiento térmico.
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