MOSFET STMicroelectronics STH320N4F6-2, VDSS 40 V, ID 200 A, H2PAK de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 165-6849
- Nº ref. fabric.:
- STH320N4F6-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 165-6849
- Nº ref. fabric.:
- STH320N4F6-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 200 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Tipo de Encapsulado | H2PAK | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,3 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Ancho | 10.4mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 240 nC a 10 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 4.8mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 200 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Tipo de Encapsulado H2PAK | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 1,3 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 300 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Ancho 10.4mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 240 nC a 10 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 15.8mm | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 4.8mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics