MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 200 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines

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Código RS:
165-9977
Nº ref. fabric.:
NX3008PBKW,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SC-70

Serie

NX3008PBKW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.55nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

830mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.2mm

Altura

1mm

Anchura

1.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal P, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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