MOSFET onsemi FDN339AN, VDSS 20 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-1805
Nº ref. fabric.:: FDN339AN
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDN339AN, VDSS 20 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

20740 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,14 €

(exc. IVA)

0,17 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,14 €	420,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-1805
Nº ref. fabric.:: FDN339AN
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	35 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Longitud	2.92mm
Ancho	1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.94mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C