MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

RS Stock No.:: 166-1811
Mfr. Part No.:: NDS332P
Brand:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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RS Stock No.:: 166-1811
Mfr. Part No.:: NDS332P
Brand:: onsemi

Specifications

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	NDS332
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	300mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Disipación de potencia máxima Pd	500mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.7nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	0.94mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.92mm
	Anchura	1.4 mm
	Estándar de automoción	No

	Select all
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie NDS332
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Disipación de potencia máxima Pd 500mW
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.7nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 0.94mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.92mm
	Anchura 1.4 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión

• Diseño de celdas de alta densidad

• corriente de saturación alta

• conmutación superior

• Gran rendimiento robusto y fiable

• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga

• Convertidor CC/CC

• Protección de la batería

• Control de administración de energía

• Control del motor de CC

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.