MOSFET onsemi NDS332P, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 671-1087
Nº ref. fabric.:: NDS332P
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NDS332P, VDSS 20 V, ID 1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 671-1087
Nº ref. fabric.:: NDS332P
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor

La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:

• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS

Aplicaciones:

• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,7 nC a 4,5 V
Longitud	2.92mm
Material del transistor	Si
Ancho	1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.94mm