MOSFET onsemi FDMA1024NZ, VDSS 20 V, ID 5 A, MicroFET 2 x 2 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 166-2509
Nº ref. fabric.:: FDMA1024NZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDMA1024NZ, VDSS 20 V, ID 5 A, MicroFET 2 x 2 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,507 €

(exc. IVA)

0,613 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,507 €	1.521,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-2509
Nº ref. fabric.:: FDMA1024NZ
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	MicroFET 2 x 2
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	114 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,4 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Ancho	2mm
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	5,2 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.75mm