MOSFET onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 2.7 A, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
166-2698
Nº ref. fabric.:
FDC6305N
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

128mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

960mW

Tensión directa Vf

0.77V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.7 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El FDC6305N es un MOSFET de N-Channel con un umbral bajo. Diseñado con la tecnología PowerTrench®, se jacta de minimizar la resistencia en estado y la carga de compuerta baja para un rendimiento de conmutación superior.

Características y ventajas:


• Carga baja de la compuerta

• Velocidad de conmutación rápida

• Tecnología PowerTrench®

• Espacio superpequeño. 72% menor que un SO08.

El FDC6305N se utiliza normalmente en estas aplicaciones;

• Cambio de carga

• Convertidores CC/CC

• Conducción de motor

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.

El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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