MOSFET onsemi FDC855N, VDSS 30 V, ID 6,1 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-3629
Nº ref. fabric.:: FDC855N
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDC855N, VDSS 30 V, ID 6,1 A, SOT-23 de 6 pines, , config. Simple

140 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,198 €

(exc. IVA)

0,24 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,198 €	594,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 166-3629
Nº ref. fabric.:: FDC855N
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	39 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1,6 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	1.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,2 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm