MOSFET, N-Canal ROHM RHP020N06T100, VDSS 60 V, ID 2 A, Mejora, SOT-89 de 3 pines

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Código RS:
168-1870
Nº ref. fabric.:
RHP020N06T100
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-89

Serie

RHP020N06

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

340mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.6mm

Anchura

2.7mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.7mm

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia están fabricados como dispositivos de baja resistencia de encendido gracias a las tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama que abarca tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para satisfacer diversas necesidades del mercado.

Tipo de accionamiento de 4 V

MOSFET de potencia media Nch

Velocidad de conmutación rápida

Envase pequeño de montaje en superficie

Sin Pb

Aplicaciones:

Terminal de datos portátil

Máquinas de procesamiento de monedas

Multímetro digital: tipo práctico

Control de motor: dc sin escobillas

PLC (controlador lógico programable)

Servo AC

Almacenamiento conectado a red

DDVR/DVS

Control de motor: motor paso a paso

Control de motor: dc cepillado

POS (sistema de punto de venta)

Bicicleta eléctrica

PC integrado

Medidor inteligente

Cámara de vigilancia

Máquina de inspección de rayos X para seguridad

Cámara de vigilancia para red

Intercomunicador / monitor de bebés

Cámara de visión de máquina para uso industrial

Dispositivo de autenticación de huella dactilar

GFCI (interruptor de circuito de fallo de tierra)

Multímetro digital: tipo de banco

Display para EMS

Inversores de potencia solar

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