MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 150 V, ID 310 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4578
Nº ref. fabric.:
IXFN360N15T2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

310A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

SOT-227

Serie

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.07kW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

715nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

38.23mm

Altura

9.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


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