MOSFET IXYS IXFH70N20Q3, VDSS 200 V, ID 70 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-4699
Nº ref. fabric.:: IXFH70N20Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH70N20Q3, VDSS 200 V, ID 70 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

60 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (En un Tubo de 30)

13,203 €

(exc. IVA)

15,976 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	13,203 €	396,09 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-4699
Nº ref. fabric.:: IXFH70N20Q3
Fabricante:: IXYS

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: US

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3

Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia

Transistores MOSFET, IXYS

Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	40 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	690 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	5.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	67 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	16.26mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C