MOSFET de potencia, Tipo N-Canal IXYS IXFR48N60Q3, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, ISOPLUS247 de 3 pines

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Código RS:
168-4710
Nº ref. fabric.:
IXFR48N60Q3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

32A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

Q3-Class

Encapsulado

ISOPLUS247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

154mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.4V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Longitud

16.13mm

Altura

21.34mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3


Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.

Diodo rectificador rápido intrínseco

Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)

Baja resistencia de compuerta intrínseca

Encapsulados estándar del sector

Baja inductancia de encapsulado

Alta densidad de potencia

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