MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN80N60P3, VDSS 600 V, ID 66 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4759
Nº ref. fabric.:
IXFN80N60P3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

66A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

190nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

960W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

9.6mm

Longitud

38.23mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

25.07 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
US

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