MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, TO-264 de 3 pines
- Código RS:
- 168-4813
- Nº ref. fabric.:
- IXFK100N65X2
- Fabricante:
- IXYS
Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*
260,30 €
(exc. IVA)
314,975 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 175 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 + | 10,412 € | 260,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-4813
- Nº ref. fabric.:
- IXFK100N65X2
- Fabricante:
- IXYS
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-264 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 183nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.04kW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 26.3 mm | |
| Longitud | 20.3mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-264 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 183nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.04kW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 26.3 mm | ||
Longitud 20.3mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2
El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.
Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-264 de 3 pines
- MOSFET VDSS 300 V Mejora, TO-264 de 3 pines