MOSFET Infineon IRLS3036TRL7PP, VDSS 60 V, ID 300 A, D2PAK-7 de 7 pines

Código RS:: 168-6038
Nº ref. fabric.:: IRLS3036TRL7PP
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLS3036TRL7PP, VDSS 60 V, ID 300 A, D2PAK-7 de 7 pines

10238 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)

1,833 €

(exc. IVA)

2,218 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
800 +	1,833 €	1.466,40 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-6038
Nº ref. fabric.:: IRLS3036TRL7PP
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK-7
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	380 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	110 nC a 4,5 V
Ancho	4.83mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	9.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.3V