- Código RS:
- 784-9243
- Nº ref. fabric.:
- AUIRLS3036-7P
- Fabricante:
- Infineon
1 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio Unidad
7,56 €
(exc. IVA)
9,15 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
---|---|
1 - 4 | 7,56 € |
5 - 9 | 7,17 € |
10 - 24 | 6,46 € |
25 - 49 | 5,82 € |
50 + | 5,53 € |
- Código RS:
- 784-9243
- Nº ref. fabric.:
- AUIRLS3036-7P
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MX
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N para automoción, Infineon
La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 240 A, 300 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Serie | HEXFET |
Tipo de Encapsulado | D2PAK-7 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 7 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,9 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 380 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
Material del transistor | Si |
Ancho | 9.65mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 110 nC a 10 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Longitud | 10.67mm |
Altura | 4.83mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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