- Código RS:
- 165-5324
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7430TRL7PP
- Fabricante:
- Infineon
5428 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)
1,775 €
(exc. IVA)
2,148 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
800 + | 1,775 € | 1.420,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5324
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7430TRL7PP
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- MX
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 522 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
Serie | HEXFET |
Tipo de Encapsulado | D2PAK-7 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 7 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 750 μΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.9V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2.2V |
Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 9.65mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 305 nC a 10 V |
Longitud | 10.67mm |
Material del transistor | Si |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Altura | 4.83mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Tensión de diodo directa | 1.2V |
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