MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFS8409-7TRL, VDSS 40 V, ID 522 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 215-2454
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFS8409-7TRL
- Fabricante:
- Infineon
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- 215-2454
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- AUIRFS8409-7TRL
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 522A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 305nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 522A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 305nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon Automotive DirectFET® Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 60V con una corriente de drenaje continuo máxima 68A en un encapsulado D2-Pak 7pin. Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr un área de silicio par de resistencia de conexión muy baja. Las características adicionales de estos diseños son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y mejorar el valor nominal de avalancha repetitiva. Esta característica se combina para hacer de este producto un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Nueva resistencia de conexión ultrabaja
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin cables
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