MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 523 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

1.958,40 €

(exc. IVA)

2.369,60 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1600 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
800 +2,448 €1.958,40 €

*precio indicativo

Código RS:
214-8962
Nº ref. fabric.:
AUIRFSA8409-7TRL
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

523A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.69mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

305nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.54mm

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Nueva resistencia de conexión ultrabaja

Apto para automoción

Enlaces relacionados