MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFS4115-7TRL, VDSS 150 V, ID 105 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 214-8959
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFS4115-7TRL
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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- Código RS:
- 214-8959
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFS4115-7TRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 105A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 380W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 105A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 380W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET Infineon HEXFET Power utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado . Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Apto para automoción
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