MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 105 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7384
- Nº ref. fabric.:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
2.628,00 €
(exc. IVA)
3.180,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,628 € | 2.628,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7384
- Nº ref. fabric.:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 105A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 105A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El FET lineal OptiMOS de Infineon es un enfoque revolucionario para evitar el equilibrio entre resistencia de estado de conexión (R DS(on)) y capacidad de modo lineal: Funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.
Combinación de R DS(on) bajo y área de funcionamiento segura amplia (SOA)
Corriente de impulso máx. Alta
Corriente de impulso continuo alta
Funcionamiento en modo lineal resistente
Bajas pérdidas de conducción
Mayor corriente de entrada activada para un arranque más rápido y una reducción de la corriente tiempo
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 3 pines