Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPB083N15N5LFATMA1, VDSS 150 V, ID 105 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
- Código RS:
- 220-7384
- Nº ref. fabric.:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)
3,109 €
(exc. IVA)
3,762 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,109 € | 3.109,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7384
- Nº ref. fabric.:
- IPB083N15N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El FET lineal OptiMOS de Infineon es un enfoque revolucionario para evitar el equilibrio entre resistencia de estado de conexión (R DS(on)) y capacidad de modo lineal: Funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.
Combinación de R DS(on) bajo y área de funcionamiento segura amplia (SOA)
Corriente de impulso máx. Alta
Corriente de impulso continuo alta
Funcionamiento en modo lineal resistente
Bajas pérdidas de conducción
Mayor corriente de entrada activada para un arranque más rápido y una reducción de la corriente tiempo
Corriente de impulso máx. Alta
Corriente de impulso continuo alta
Funcionamiento en modo lineal resistente
Bajas pérdidas de conducción
Mayor corriente de entrada activada para un arranque más rápido y una reducción de la corriente tiempo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 105 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,0083 O |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.9V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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