MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 363 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
220-7471
Nº ref. fabric.:
IRF60SC241ARMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

363A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

StrongIRFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.95mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

311nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.4mm

Longitud

10.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.45 mm

Estándar de automoción

No

Los dispositivos MOSFET Infineon de potencia IRFET más recientes de 60 V están optimizados para RDS(on) de alta corriente y baja, lo que los convierte en la solución ideal para aplicaciones alimentadas por batería de alta corriente.

Baja RDS(on)

Capacidad de corriente alta

Carcasa estándar industrial

Configuración de contactos flexible

Optimizado para accionamiento de puerta de 10 V.

Reducción de las pérdidas de conducción

Mayor densidad de potencia

Sustitución directa de dispositivos existentes

Ofrece flexibilidad de diseño

Proporciona inmunidad al encendido falso en entornos ruidosos

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