MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 270 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7342
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF2804STRL
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7342
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF2804STRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 270A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 160nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 270A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 160nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 20V-40V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en una variedad de encapsulados para satisfacer una amplia gama de necesidades y alcanzar RDS(on) hasta 0.6mΩ Optimos5 40V. La nueva tecnología MOSFET de referencia OptiMOS 6 y permite bajas pérdidas de conducción (El mejor rendimiento de RDSon de su clase), pérdidas de conmutación bajas (comportamiento de conmutación mejorado), recuperación de diodo mejorada y comportamiento EMC. Esta tecnología MOSFET se utiliza en los encapsulados más Advanced e innovadores para alcanzar el mejor rendimiento y calidad del producto. Para ofrecer lo último en flexibilidad de diseño, los MOSFET con calificación de automoción están disponibles en una variedad de encapsulados para satisfacer una amplia gama de necesidades. Infineon ofrece a los clientes un flujo constante de mejoras en capacidad de corriente, comportamiento de conmutación, fiabilidad, tamaño de encapsulado y calidad general. El puente medio integrado de reciente desarrollo es una solución de encapsulado innovadora y rentable para aplicaciones de cuerpo y accionamiento de motor.
Tecnología Advanced Process
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax