MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 57.2 A, Mejora, TO-263

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Código RS:
220-7392
Nº ref. fabric.:
IPB65R190CFDAATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

57.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) es la segunda generación de Infineon de MOSFET de potencia MOS de alta tensión con calificación de automoción líderes del mercado. Además de los atributos conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la serie 650V Cool MOS CFDA proporciona también un diodo de cuerpo rápido integrado.

Primera tecnología de automoción con calificación 650V con diodo de cuerpo rápido integrado en el mercado

Sobreimpulso de tensión limitada durante conmutación dura: Di/dt de limitación automática y dv/dt

Valor de carga de puerta bajo Q g

q rr bajo en conmutación repetitiva en diodo de cuerpo & Q OSS bajo

Encendido reducido y tiempos de retardo de giro

Mayor margen de seguridad debido a una tensión de ruptura más alta

Apariencia EMI reducida y fácil de diseñar

Mejor eficiencia de carga ligera

Menores pérdidas de conmutación

Mayor frecuencia de conmutación y/o ciclo de trabajo más alto posible

Alta calidad y fiabilidad

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