MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB65R190CFDAATMA1, VDSS 650 V, ID 57.2 A, Mejora, TO-263
- Código RS:
- 220-7393
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,575 € | 7,15 € |
| 10 - 18 | 3,22 € | 6,44 € |
| 20 - 48 | 3,005 € | 6,01 € |
| 50 - 98 | 2,79 € | 5,58 € |
| 100 + | 2,61 € | 5,22 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7393
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 57.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 57.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) es la segunda generación de Infineon de MOSFET de potencia MOS de alta tensión con calificación de automoción líderes del mercado. Además de los atributos conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la serie 650V Cool MOS CFDA proporciona también un diodo de cuerpo rápido integrado.
Primera tecnología de automoción con calificación 650V con diodo de cuerpo rápido integrado en el mercado
Sobreimpulso de tensión limitada durante conmutación dura: Di/dt de limitación automática y dv/dt
Valor de carga de puerta bajo Q g
q rr bajo en conmutación repetitiva en diodo de cuerpo & Q OSS bajo
Encendido reducido y tiempos de retardo de giro
Mayor margen de seguridad debido a una tensión de ruptura más alta
Apariencia EMI reducida y fácil de diseñar
Mejor eficiencia de carga ligera
Menores pérdidas de conmutación
Mayor frecuencia de conmutación y/o ciclo de trabajo más alto posible
Alta calidad y fiabilidad
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