MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 73 A, Mejora, TO-263 de 2 pines
- Código RS:
- 220-7497
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4610TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
901,60 €
(exc. IVA)
1.091,20 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 24 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,127 € | 901,60 € |
| 1600 + | 1,071 € | 856,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7497
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4610TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 73A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 140nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Altura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 73A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 140nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Altura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Corriente nominal alta
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa
Alta capacidad de transporte de corriente
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 2 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 120 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 80 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 700 V Mejora, TO-263 de 3 pines
