MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 73 A, Mejora, TO-263 de 2 pines

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Código RS:
220-7497
Nº ref. fabric.:
IRFS4610TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

73A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

140nC

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Altura

9.65mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Corriente nominal alta

Amplia disponibilidad de los socios de distribución

Nivel de cualificación estándar del sector

La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa

Alta capacidad de transporte de corriente

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