MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- Código RS:
- 258-3819
- Nº ref. fabric.:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 258-3819
- Nº ref. fabric.:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon es un modo de mejora de nivel lógico de canal P. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico