MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P407ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3815
Nº ref. fabric.:
IPB80P04P407ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal P. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Encapsulado verde (conforme con RoHS)

100 % probado en avalancha

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