MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P405ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263

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Código RS:
258-3813
Nº ref. fabric.:
IPB80P04P405ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal P. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

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