Transistor MOSFET & Diodo Infineon IRFS4610TRLPBF, VDSS 100 V, ID 73 A, D2PAK (TO-263) de 2 pines, 2elementos
- Código RS:
- 220-7498
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4610TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 08/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
2,818 €
(exc. IVA)
3,41 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,818 € | 14,09 € |
| 25 - 45 | 2,452 € | 12,26 € |
| 50 - 120 | 2,282 € | 11,41 € |
| 125 - 245 | 2,142 € | 10,71 € |
| 250 + | 1,974 € | 9,87 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7498
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4610TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Corriente nominal alta
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa
Alta capacidad de transporte de corriente
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Corriente nominal alta
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa
Alta capacidad de transporte de corriente
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 73 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 2 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,014 O |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 20V |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
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