Transistor MOSFET & Diodo Infineon IRLMS6802TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,6 A, D2PAK (TO-263) de 2 pines, 2elementos

Los MOSFET Infineon de canal P de International Rectifier utilizan técnicas Advanced Processing para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Esta ventaja proporciona al diseñador un dispositivo muy eficaz para usar en aplicaciones de gestión de carga y batería. El encapsulado Micro6 con su bastidor de cable personalizado produce un MOSFET de alimentación HEXFET® con RDS(on) un 60 % menos que un SOT-23 de tamaño similar. Este encapsulado es ideal para aplicaciones en las que el espacio de la placa de circuito impreso es fundamental. El exclusivo diseño térmico y la reducción RDS(on) permiten un aumento de la gestión de corriente de casi un 300 % en comparación con el SOT-23.

Resistencia de encendido ultrabaja
MOSFET de canal P
Montaje superficial
Disponible en cinta y carrete
Sin plomo