MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 5.6 A, Mejora, TO-263 de 2 pines

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Código RS:
220-7500
Nº ref. fabric.:
IRLMS6802TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1 mm

Longitud

3mm

Altura

3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET Infineon de canal P de International Rectifier utilizan técnicas Advanced Processing para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Esta ventaja proporciona al diseñador un dispositivo muy eficaz para usar en aplicaciones de gestión de carga y batería. El encapsulado Micro6 con su bastidor de cable personalizado produce un MOSFET de alimentación HEXFET® con RDS(on) un 60 % menos que un SOT-23 de tamaño similar. Este encapsulado es ideal para aplicaciones en las que el espacio de la placa de circuito impreso es fundamental. El exclusivo diseño térmico y la reducción RDS(on) permiten un aumento de la gestión de corriente de casi un 300 % en comparación con el SOT-23.

Resistencia de encendido ultrabaja

MOSFET de canal P

Montaje superficial

Disponible en cinta y carrete

Sin plomo

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