MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P404ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3798
Nº ref. fabric.:
IPB120P04P404ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto

Circuito de controlador de interfaz sencilla

Capacidad de corriente más alta

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