MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P4L03ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 229-1819
Nº ref. fabric.:: IPB120P04P4L03ATMA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P4L03ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 20	3,572 €	17,86 €
25 - 45	3,216 €	16,08 €
50 - 120	3,002 €	15,01 €
125 - 245	2,788 €	13,94 €
250 +	2,57 €	12,85 €

*precio indicativo

Código RS:: 229-1819
Nº ref. fabric.:: IPB120P04P4L03ATMA2
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	TO-263
	Serie	iPB
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.1mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 120A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado TO-263
	Serie iPB
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ
	Modo de canal Mejora
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - IPB120P04P4L03ATMA2

IPB120P04P4L-03, -40 V, canal P, 3,1 mΩ máx., MOSFET de automoción, D2PAK, OptiMOSTM-P2

El MOSFET de nivel lógico de canal p de Infineon tiene la mayor capacidad de corriente y prueba de avalancha al 100 %. Tiene las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica.

Resumen de las características

•Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora

•Calificación AEC

•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

•Temperatura de funcionamiento de 175 °C

•Encapsulado verde (conforme con RoHS)

•100% Avalanche probado

Ventajas

•No se necesita bomba de carga para accionamiento lateral alto.

•Circuito de accionamiento de interfaz sencilla

•RDSon más bajo del mundo a 40 V

•Capacidad de corriente más alta

•Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica

•Encapsulados robustos con fiabilidad y calidad superior

•Encapsulados estándar TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

Aplicaciones potenciales

•MOSFET de lado alto para puentes de motor (medios puentes, puentes H, motores trifásicos)

•La configuración de puente se puede realizar con el canal P de 40 V como dispositivo de lado alto sin necesidad de bomba de carga