MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P4L03ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 229-1819
- Nº ref. fabric.:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
17,64 €
(exc. IVA)
21,35 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 605 unidad(es) más para enviar a partir del 24 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,528 € | 17,64 € |
| 25 - 45 | 3,178 € | 15,89 € |
| 50 - 120 | 2,964 € | 14,82 € |
| 125 - 245 | 2,75 € | 13,75 € |
| 250 + | 2,536 € | 12,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-1819
- Nº ref. fabric.:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie iPB de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 120 A - IPB120P04P4L03ATMA2
Este MOSFET de canal p es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente y resistencia térmica en entornos industriales y de automoción. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para utilizarse donde se requiere una tolerancia de puerta robusta y una baja pérdida de conducción.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 40 V permite la conmutación de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 120 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La baja Rds(on) de 3.1 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 136 W permite un manejo de potencia sostenido
• La tolerancia Vgs de hasta 16 V permite mayores márgenes de accionamiento de puerta
• El rango de temperatura de –55 a 175 °C mantiene el funcionamiento en condiciones extremas
• La corriente de drenaje continua de 120 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La baja Rds(on) de 3.1 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 136 W permite un manejo de potencia sostenido
• La tolerancia Vgs de hasta 16 V permite mayores márgenes de accionamiento de puerta
• El rango de temperatura de –55 a 175 °C mantiene el funcionamiento en condiciones extremas
Aplicaciones
• Adecuado para circuitos de protección de batería inversa de alta corriente
• Ideal para módulos de distribución de potencia de automoción
• Se utiliza con controlador de motor de lado alto o lado bajo
• Puede utilizarse para la conmutación síncrona del convertidor dc-dc
• Apto para funciones de gestión de potencia en vehículos eléctricos
• Ideal para módulos de distribución de potencia de automoción
• Se utiliza con controlador de motor de lado alto o lado bajo
• Puede utilizarse para la conmutación síncrona del convertidor dc-dc
• Apto para funciones de gestión de potencia en vehículos eléctricos
¿Qué encapsulado utiliza para el montaje de PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 diseñado para montaje en placa soldada.
¿Cómo se comporta térmicamente con cargas elevadas?
El dispositivo puede disipar hasta 136 W cuando se enfría correctamente, lo que permite un funcionamiento prolongado con potencia elevada con una gestión térmica adecuada.
¿Qué límites de puerta deben observarse durante el diseño?
La tensión de fuente de puerta no debe superar 16 V para evitar sobretensión de puerta.
¿Es adecuado para los requisitos de certificación de automoción?
Cumple el estándar de automoción AEC-Q101 para la certificación de semiconductores.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- Transistor de potencia VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-263