MOSFET Infineon IPB120P04P4L03ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

El MOSFET de nivel lógico de canal p de Infineon tiene la mayor capacidad de corriente y prueba de avalancha al 100 %. Tiene las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica.

•Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
•Calificación AEC
•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
•Temperatura de funcionamiento de 175 °C
•Encapsulado verde (conforme con RoHS)
•100% Avalanche probado

•No se necesita bomba de carga para accionamiento lateral alto.
•Circuito de accionamiento de interfaz sencilla
•RDSon más bajo del mundo a 40 V
•Capacidad de corriente más alta
•Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica
•Encapsulados robustos con fiabilidad y calidad superior
•Encapsulados estándar TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

•MOSFET de lado alto para puentes de motor (medios puentes, puentes H, motores trifásicos)
•La configuración de puente se puede realizar con el canal P de 40 V como dispositivo de lado alto sin necesidad de bomba de carga