MOSFET, N-Canal Infineon IPB120N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263

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Código RS:
259-1550
Nº ref. fabric.:
IPB120N04S402ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.80mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de la serie iPB de Infineon, tensión de drenaje-fuente de 40 V, corriente de drenaje continua de 120 A - IPB120N04S402ATMA1


Este MOSFET es un dispositivo de canal N de modo de mejora de alta corriente diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y cumple las directivas ambientales del sector y los estándares de estrés de automoción.

Características y ventajas:


• La baja Rds(on) de 1.80 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La tensión nominal de 40 V admite etapas de potencia de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 120 A permite un suministro de alta corriente
• El encapsulado de superficie TO-263 simplifica la gestión térmica
• El rango de -55 °C a +175 °C soporta un funcionamiento a temperaturas extremas

Aplicaciones


• Apto para módulos de conversión de potencia de automoción
• Ideal para etapas de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza con sistemas de distribución dc de alta corriente
• Puede utilizarse para la conmutación de potencia en entornos hostiles

¿Qué estilo de montaje requiere?


Está diseñado para montaje en superficie en el formato de encapsulado TO-263.

¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?


Está diseñado para funcionar de –55 a +175 °C.

¿Cumple las normas de certificación de automoción?


Cumple la certificación de automoción AEC-Q101.

¿Qué configuración y modo de canal utiliza?


Se trata de un transistor de canal N de modo de mejora.

¿Hay restricciones ambientales para sus materiales?


Cumple la directiva RoHS.

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