MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

1.402,00 €

(exc. IVA)

1.696,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 08 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +1,402 €1.402,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-9013
Nº ref. fabric.:
IPB120N08S404ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. Estos productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Los productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de los estándares de regulación de tensión de última generación más afilados en aplicaciones informáticas. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

El producto tiene certificación AEC Q101

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Enlaces relacionados