MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
220-7377
Nº ref. fabric.:
IPB031N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon OptiMOS 5 80V de potencia industrial IPB031N08N5 ofrece una reducción RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como energía solar, controladores de baja tensión y adaptadores.

Optimizado para rectificación síncrona

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %

Reducción de R DS(on) hasta el 44 %

Eficiencia del sistema más alta

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Requiere menos conexión en paralelo

Mayor densidad de potencia

Sobreimpulso de baja tensión

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