MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N08S403ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4366
- Nº ref. fabric.:
- IPB120N08S403ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
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- IPB120N08S403ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS -T2 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 128nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 10.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS -T2 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 128nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 10.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Este MOSFET Infineon OptiMOS T2 está probado 100 % para avalancha y es conforme con RoHS.
Tiene certificación AEC Q101
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