MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N08S403ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
214-4366
Nº ref. fabric.:
IPB120N08S403ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS -T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

128nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.02mm

Altura

4.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.27 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS T2 está probado 100 % para avalancha y es conforme con RoHS.

Tiene certificación AEC Q101

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