MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 100 A, Mejora, TO-263

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Código RS:
258-3795
Nº ref. fabric.:
IPB100N12S305ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-T de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal N. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

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