MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB038N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 120 A, N, TO-263

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Código RS:
259-1546
Nº ref. fabric.:
IPB038N12N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia Infineon 120V optimos ofrece al mismo tiempo las resistencias de estado encendido más bajas del sector y el comportamiento de conmutación más rápido, lo que permite lograr un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones. La tecnología optimos de 120 V ofrece nuevas posibilidades para soluciones optimizadas.

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más baja del mundo

Muy baja Q g y Q gd

Excelente carga de puerta x producto R DS(on) (FOM)

Sin halógenos conforme con RoHS

Nivel de protección MSL1 2

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