MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 120 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3785
- Nº ref. fabric.:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3785
- Nº ref. fabric.:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.89V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.89V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El FET lineal OptiMOS de Infineon es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado activo y el funcionamiento de la capacidad de modo lineal en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de última generación de un MOSFET de trinchera junto con el amplio área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.
Alta máx. corriente de impulso
Corriente de impulso continua alta
Funcionamiento en modo lineal robusto
Pérdidas de conducción bajas