MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB3307PBF, VDSS 75 V, ID 120 A, TO-263

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
257-5799
Nº ref. fabric.:
IRFB3307PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.3mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

Corriente nominal alta

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