MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS3607TRLPBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-263
- Código RS:
- 257-9426
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3607TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,594 € | 7,97 € |
| 50 - 120 | 1,436 € | 7,18 € |
| 125 - 245 | 1,358 € | 6,79 € |
| 250 - 495 | 1,178 € | 5,89 € |
| 500 + | 0,718 € | 3,59 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9426
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3607TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-543 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Distrelec Product Id 304-40-543 | ||
La serie IRFS de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de un canal n de 75 V en un encapsulado D2 Pak.
Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico
SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado
Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada