MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
249-6905
Nº ref. fabric.:
IPB80N08S2L07ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

75 V, canal N, 6,8 mΩ máx., MOSFET de automoción, D2PAK, OptiMOSTM


El OptiMOS de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. El canal de funcionamiento es N. Tiene certificación AEC Q101. MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico. Producto verde (conforme con RoHS) y está 100% probado en avalancha.

Resumen de las características


•Nivel lógico de canal N - modo de mejora

•Certificación AEC Q101 para automoción

•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

•Temperatura de funcionamiento de 175 °C

•Encapsulado ecológico (sin plomo)

•RDS(on) ultrabajo

•100 % probado en avalancha

Ventajas


•el RDS más bajo del mundo a 75 V (conectado) en tecnología planar

•capacidad de corriente más alta

•las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica

•encapsulados robustos de fiabilidad y calidad superior

•La carga total de puerta optimizada permite etapas de salida de controlador más pequeñas

Aplicaciones potenciales


•Control de válvulas

•Control de solenoides

•Iluminación

•Motores de extremo único

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