MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon IRF2807ZSTRLPBF, VDSS 75 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 831-2806
- Nº ref. fabric.:
- IRF2807ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 831-2806
- Nº ref. fabric.:
- IRF2807ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 89 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRF2807ZSTRLPBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento, ofreciendo eficiencia y fiabilidad en diversos circuitos electrónicos. Su baja resistencia a la conexión y sus potentes características térmicas lo hacen esencial para los usuarios de los sectores de la automatización, la electricidad y la mecánica, ya que permite una gestión eficaz de la energía y reduce la pérdida de energía.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua de hasta 89 A
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 75 V
• Temperatura de funcionamiento hasta +175°C para estabilidad térmica
• Rds(on) bajo de 9,4 mΩ para reducir la pérdida de potencia
• La capacidad de conmutación rápida mejora la capacidad de respuesta del sistema
• Dispositivo de modo de mejora para un funcionamiento óptimo
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de alimentación para una conversión eficiente de la energía
• Empleado en sistemas industriales y de automoción para el control de motores
• Adecuado para convertidores CC-CC y reguladores de conmutación
• Aplicable en conmutación de alta frecuencia en electrónica
• Utilizado para la protección contra sobrecargas en diversos sistemas eléctricos
¿Cuál es la máxima tensión puerta-fuente que puede soportar este componente?
Puede gestionar una tensión puerta-fuente máxima de ±20 V, lo que garantiza la compatibilidad con diversas señales de control.
¿Cómo se comporta este componente a altas temperaturas?
Con una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, se mantiene estable y funcional en entornos de altas temperaturas, lo que la hace idónea para este tipo de aplicaciones.
¿Para qué sirve la baja resistencia a la conexión?
La baja resistencia a la conexión minimiza la generación de calor y mejora la eficiencia durante el funcionamiento, lo que es importante para aplicaciones de alta corriente.
¿Puede utilizarse tanto en diseños de montaje en superficie como pasantes?
Este dispositivo está diseñado específicamente para la tecnología de montaje en superficie en un encapsulado D2PAK, lo que optimiza el espacio y el rendimiento térmico.
¿Cómo beneficia la velocidad de conmutación al diseño del sistema?
La conmutación rápida mejora la eficiencia global del sistema y permite un diseño compacto al facilitar el funcionamiento a frecuencias más altas en soluciones de gestión de potencia.
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