MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 269 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 218-3123
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7730TRL7PP
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
1.055,20 €
(exc. IVA)
1.276,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 800 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,319 € | 1.055,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 218-3123
- Nº ref. fabric.:
- IRFS7730TRL7PP
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 269A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 428nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 269A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 428nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N sencillo Infineon de la serie HEXFET. Integrado con encapsulado tipo D2PAK 7pin (TO-263 7pin).
Sin plomo, conformidad con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET de potencia VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
