MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, VDSS 75 V, ID 246 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 168-6020
Nº ref. fabric.:: IRFS7730TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, VDSS 75 V, ID 246 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

118 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)

1,52 €

(exc. IVA)

1,84 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
800 +	1,52 €	1.216,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-6020
Nº ref. fabric.:: IRFS7730TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja R_DS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	246 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	375 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	9.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	271 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.2V