MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, VDSS 75 V, ID 246 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 130-1007
Nº ref. fabric.:: IRFS7730TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFS7730TRLPBF, VDSS 75 V, ID 246 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

118 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

2,935 €

(exc. IVA)

3,551 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 8	2,935 €	5,87 €
10 - 18	2,79 €	5,58 €
20 - 48	2,51 €	5,02 €
50 - 98	2,26 €	4,52 €
100 +	2,145 €	4,29 €

*precio indicativo

Código RS:: 130-1007
Nº ref. fabric.:: IRFS7730TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja R_DS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	246 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	75 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	375 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	271 nC a 10 V
Ancho	9.65mm
Número de Elementos por Chip	1
Altura	4.83mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C